STP80NF55-08
STP80NF55-08属性
- N 沟道
- TO-220AB
- ST
STP80NF55-08描述
STP80NF55-08描述STP80NF55-08
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:无铅环保
技术:Si
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-220-3
Vds-漏源极击穿电压:55V
Id-连续漏极电流:-
RdsOn-漏源导通电阻:6.5mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压:-
Qg-栅极电荷:-
Pd-功率耗散:-
资格:AEC-Q101
商标名:STripFET
系列:STP80NF55-08AG
商标:STMicroelectronics
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
单位重量:1.800g