BSS123-G

BSS123-G属性

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BSS123-G描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 0.17 A
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 1.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 0.36 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
配置: Single
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 0.08 S
下降时间: 2.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型接通延迟时间: 1.7 ns

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