BSC019N02KSG

BSC019N02KSG属性

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BSC019N02KSG描述

GS3800-808-001AAB1
BSL211SP
BSC029N025SG
BSZ050N03MSG
BSC030N03LSG
BSC019N02KSG
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D048/02CS
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MVC01610
GAL16V8B-15LP
GAL16V8D-25LP
GAL16V8D-25LPN
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.95 毫欧 @ 50A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 350μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 85nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 13000pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），104W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TDSON-8-1
封装/外壳 8-PowerTDFN
TONY.ZOU（邹泽凯）
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