BSS123L

BSS123L属性

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BSS123L描述

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制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-23-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:170 mA
Rds On-漏源导通电阻:6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.4 V
Qg-栅极电荷:793 pC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:360 mW
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
高度:1.2 mm
长度:2.9 mm
系列:BSS123L
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:1.3 mm
商标:ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:80 mS
下降时间:5.6 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:1.7 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:5.9 ns
典型接通延迟时间:2.2 ns
单位重量:8 mg

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