RSQ025P03TR

RSQ025P03TR属性

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RSQ025P03TR描述

WS12M3T
ZVN4306GTA
MCH5803-TL-E
DTC3058
DTC3059
SCS494D
BZX384B5V6-V-GS08
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212S
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RSQ025P03TR
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SPN3414S23RGB
CMKT3904 TR
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NSZ5V6V2T1G
WEOS61089-12
WEOS61089-17
CDSOT23-SM712
CDSOT236-0504C
CDSOT23-SRV05-4
CDSOT236-0504LC
CDSOT23-SR724
CDSOT23-SR208
CDSOT23-SLVU2.8
规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 110 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4.4nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 320pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.25W（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSMT6（SC-95）
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TONY.ZOU（邹泽凯）
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