FDG6301N

FDG6301N属性

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FDG6301N描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 220 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: FDG6301N
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: FET
宽度: 1.25 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 0.2 S
下降时间: 4.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 4 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
零件号别名: FDG6301N_NL
单位重量: 28 mg

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