FGA50T65SHD

FGA50T65SHD属性

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FGA50T65SHD描述

制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PN
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 2.14 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 319 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列: FGA50T65SHD
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 100 A
商标: ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 6.401 g

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