FDMB3800N
FDMB3800N属性
- 面议
- DFN8
- ON
FDMB3800N描述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MicroFET-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.8 mm
长度: 3 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: FDMB3800N
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.9 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 14 S
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
单位重量: 47 mg