SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3属性

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SI2307BDS-T1-GE3描述

SI2307BDS-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 78 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
Qg-栅极电荷: 9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 0.75 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
系列: SI2
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.6 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 5 S
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: SI2307BDS-GE3
单位重量: 8 mg
网站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

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