DMN2004K-7
DMN2004K-7属性
- 特价
- MOSFET 20V 540mA
- MOSFET 20V 540mA
- 特价
- Diodes
DMN2004K-7描述
DMN2004K-7
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 630 mA
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Qg-栅极电荷: 0.9 nC
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN2004
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 37.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.4 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 59.4 ns
典型接通延迟时间: 5.7 ns
单位重量: 8 mg
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