DMN10H120SE-13

发布时间：2020/3/28 13:21:02
所属类别：三极管 » 其他三极管
公司：深圳市川蓝电子科技有限公司
联系人：彭小姐

DMN10H120SE-13属性

本站价格：特价
用途：MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
规格：MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
市场价格：特价
生产厂家：Diodes

DMN10H120SE-13描述

DMN10H120SE-13
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: DMN10
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 2.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.8 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
单位重量: 112 mg
深圳市川蓝电子科技有限公司
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