IRLR3103

IRLR3103属性

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IRLR3103描述

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 107W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak

深圳市宁恒微科技有限公司主营世界各品牌IC，二三极管，电容电阻，模块等。
联系方式：0755-82578009，QQ:994723393(吴小姐）

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