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IPW60R041P6

IPW60R041P6产品图片
  • 发布时间:2019/1/15 11:09:03
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市宏辉电子科技有限公司
  • 联 系 人:谢经理
  • IPW60R041P6供应商

IPW60R041P6属性

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  • Infineon

IPW60R041P6描述

制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:ThroughHole
封装/箱体:TO-247-3
通道数量:1Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600V
Id-连续漏极电流:77.5A
RdsOn-漏源导通电阻:37mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压:3.5V
Vgs-栅极-源极电压:20V
Qg-栅极电荷:170nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:481W
通道模式:Enhancement
商标名:CoolMOS
封装:Tube
高度:21.1mm
长度:16.13mm
系列:CoolMOSP6
晶体管类型:1N-Channel
宽度:5.21mm
商标:InfineonTechnologies
CNHTS:8541290000
下降时间:5ns
HTSCode:8541290095
MXHTS:85412999
产品类型:MOSFET
上升时间:27ns
工厂包装数量:240
子类别:MOSFETs
TARIC:8541290000
典型关闭延迟时间:90ns
典型接通延迟时间:29ns
零件号别名:IPW60R041P6FKSA1SP001091630
单位重量:38g

所有产品保证原厂原装环保。来电咨询13923840661.谢经理
本公司经销品牌:原厂货源,全新原装!
聯系人:谢先生张小姐
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