IPD640N06LG

IPD640N06LG属性

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IPD640N06LG描述

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 64 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 47 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
系列: OptiMOS 2
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
CNHTS: 8541210000
下降时间: 32 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
零件号别名: IPD640N06LGBTMA1 IPD64N6LGXT SP000443766
单位重量: 4 g

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