IPP075N15N3G原厂原装现货

IPP075N15N3G原厂原装现货属性

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IPP075N15N3G原厂原装现货描述

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 93nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO220-3
封装/外壳 TO-220-3

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