BSC190N12NS3 G

发布时间：2019/1/5 10:16:30
所属类别：集成电路 » 集成电路
公司：深圳市宏辉电子科技有限公司
联系人：谢经理

BSC190N12NS3 G属性

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规格：0
市场价格：
生产厂家：Infineon

BSC190N12NS3 G描述

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.6A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19 毫欧 @ 39A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 42µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 60V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 69W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN

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