DRV5032FCDBZR

发布时间：2018/12/27 16:56:00
所属类别：集成电路 » 集成电路
公司：深圳市烨弘轩电子有限公司
联系人：朱【只只原装片片原厂】

DRV5032FCDBZR属性

本站价格：联系我们获得最低
用途：电池至关重要的位置传感
规格：集成电路（IC）
市场价格：市场最低
生产厂家：Texas Instruments

DRV5032FCDBZR描述

Texas Instruments DRV5032霍尔效应开关传感器是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器，设计用于超级紧凑和电池敏感型系统。该器件有多种采样率、输出驱动器和封装可供选择，适用于各种应用。当施加的磁通密度超过BOP阈值时，器件输出驱动低电压。输出保持低电平，直至磁通密度降至BRP以下，然后输出将驱动高电压或变为高阻抗，具体取决于器件版本。通过集成内部振荡器，该器件可对磁场进行采样，并以20Hz或5Hz的速率更新输出，以实现最低电流消耗。可提供全极和双单极磁响应。
特性行业领先的超低功耗 5Hz版本：0.54μA (1.8V)
20Hz版本：1.6μA (3V
工作VCC范围：1.65V - 5.5V
磁阈值（典型BOP） 3mT，高灵敏度
全极和双单极选项
20Hz和5Hz采样速率选项
开漏和推挽输出选项
SOT-23和X2SON封装选项
工作温度范围：–40°C至+85°C

应用电池至关重要的位置传感
电表篡改检测
手机、笔记本电脑或平板电脑保护套传感
电子锁、烟雾探测器、家用电器
医疗设备、物联网系统
阀门或电磁阀位置检测
非接触诊断或激活

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