晶体管 FDMC8026S MOSFET - 单

晶体管 FDMC8026S MOSFET - 单属性

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晶体管 FDMC8026S MOSFET - 单描述

FDMC8026S介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

制造商标准提前期 39 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®，SyncFET™

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Ta），21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 52nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3165pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），36W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳 8-PowerWDFN

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。



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