晶体管 ZXMN6A25D MOSFET - 阵列

晶体管 ZXMN6A25D MOSFET - 阵列属性

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晶体管 ZXMN6A25D MOSFET - 阵列描述

ZXMN6A25D介绍：

描述 MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

制造商标准提前期 20 周

详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.8A 1.8W Surface Mount 8-SOP

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Diodes Incorporated

系列 -

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.8A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 3.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1063pF @ 30V

功率 - 最大值 1.8W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOP

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成立於1966年，是美国Nasdaq上市企业，为敦南科技转投资企业，主要从事半导体分立元件制造生产，Diodes Inc.与光宝集团具备合作夥伴关系，双方共同开发、生产及分销产品，服务厂商包括通讯、电脑、工业、电子产品和汽车工业等。

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