射频模块 RA01L8693MA RA45H4047M RA55H4047M

射频模块 RA01L8693MA RA45H4047M RA55H4047M属性

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射频模块 RA01L8693MA RA45H4047M RA55H4047M描述

RA01L8693MA是1.4-watt RF的MOSFET放大器模块.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.输出功率和漏电流增加门极电压增加.与周围0.5V栅极电压（***小），输出功率和漏电流大幅增加.标称输出功率变在1.5V（典型值），2.0V可用（）.在VGG=2.0V,的典型栅极电流1mA

特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=3.3V, VGG=0V)
• Pout>1.4W,ηT>38% @ VDD=3.3V, VGG=2.0V, Pin=30mW
•宽带频率范围：865-928MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=2.0V
•模块尺寸：9.1 x 9.2 x 1.8 mm


RA45H4047M是45-watt RF的MOSFET放大器模块12.5-volt移动电台在向工作在400-470-MHz范围.电池可以直接连接到漏极增强型MOSFET晶体管.如果没有门电压(VGG进入=0V),只有一小漏电流漏极和RF衰减输入信号的60 dB.输出功率和漏电流增加门极电压增加.与周围4V栅极电压（***小），输出功率和漏电流大幅增加.标称输出功率变在4.5V（典型值），5V可用（）.在VGG=5V,的典型栅极电流1 mA.该模块是专为非线性调频调制，但也可能是线性调制使用设置排水静态电流与栅极电压和控制输出功率与输入功率.

特征
•增强型MOSFET晶体管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>45W,ηT>35% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW
•宽带频率范围：400-470MHz
•低功耗控制电流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模块尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•线性操作有可能通过设置静态漏电流随栅极电压和输出功率控制与输入功率

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