晶体管 MJD2955T4G 双极 (BJT) - 单

晶体管 MJD2955T4G 双极 (BJT) - 单属性

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晶体管 MJD2955T4G 双极 (BJT) - 单描述

MJD2955T4G介绍：
描述 TRANS PNP 60V 10A DPAK
制造商标准提前期 9 周
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 10A
电压 - 集射极击穿（最大值） 60V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值） 50μA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 4A，4V
功率 - 最大值 1.75W
频率 - 跃迁 2MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 DPAK
基本零件编号 MJD2955
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无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。

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