晶体管 TPH1R403NL MOSFET - 单

晶体管 TPH1R403NL MOSFET - 单属性

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晶体管 TPH1R403NL MOSFET - 单描述

TPH1R403NL介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 1.6W（Ta），64W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 U-MOSVIII-H

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 500μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 46nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4400pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.6W（Ta），64W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）

封装/外壳 8-PowerVDFN

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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。



东芝(Toshiba)，是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成，业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。

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