晶体管 BSC009NE2LS MOSFET - 单
晶体管 BSC009NE2LS MOSFET - 单属性
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晶体管 BSC009NE2LS MOSFET - 单描述
BSC009NE2LS介绍:
描述 MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),74W(Tc) PG-TDSON-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 41A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 0.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 57nC @ 10V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3900pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),74W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
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