晶体管 SI7141DP MOSFET - 单

晶体管 SI7141DP MOSFET - 单属性

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晶体管 SI7141DP MOSFET - 单描述

SI7141DP介绍：
描述 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 20V 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK® SO-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 400nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14300pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。

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