DMG3415U-7

DMG3415U-7属性

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DMG3415U-7描述

制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Id-连续漏极电流: - 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 42.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 0.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 4.5 V
Qg-栅极电荷: 9.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 900 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMG3415
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 393 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 117 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 795 ns
典型接通延迟时间: 71 ns
单位重量: 8 mg
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