晶体管 - UGBT FGL35N120FTDTU MOSFET

晶体管 - UGBT FGL35N120FTDTU MOSFET属性

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晶体管 - UGBT FGL35N120FTDTU MOSFET描述

FGL35N120FTDTU介绍：
描述 IGBT 1200V 70A 368W TO264
制造商标准提前期 44 周
详细描述 IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 105A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.2V @ 15V，35A
功率 - 最大值 368W
开关能量 2.5mJ（开）， 1.7mJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 210nC
25°C 时 Td（开/关）值 34ns/172ns
测试条件 600V，35A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 337ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装 TO-264
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。

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