晶体管 EMH1T2R 双极 (BJT) - 阵列
晶体管 EMH1T2R 双极 (BJT) - 阵列属性
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晶体管 EMH1T2R 双极 (BJT) - 阵列描述
EMH1T2R介绍:
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
制造商标准提前期 10 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基底(R1) 22 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2) 22 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 56 @ 5mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 EMT6
基本零件编号 *MH1
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
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