晶体管 BLS7G2729L-350P MOSFET - 射频

晶体管 BLS7G2729L-350P MOSFET - 射频属性

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晶体管 BLS7G2729L-350P MOSFET - 射频描述

BLS7G2729L-350P介绍：
描述 RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 13 周
详细描述 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 32V 200mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 13dB 350W SOT539A
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
制造商 Ampleon USA Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 在售
晶体管类型 LDMOS（双），共源
频率 2.7GHz ~ 2.9GHz
增益 13dB
电压 - 测试 32V
额定电流 -
噪声系数 -
电流 - 测试 200mA
功率 - 输出 350W
电压 - 额定 65V
封装/外壳 SOT539A
供应商器件封装 SOT539A
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光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。

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