晶体管 FDD86250 半导体产品

晶体管 FDD86250 半导体产品属性

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晶体管 FDD86250 半导体产品描述

FDD86250介绍：
描述 MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 39 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 150V 8A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），132W（Tc） D-PAK（TO-252）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 33nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2110pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），132W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-PAK（TO-252）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。

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