晶体管 MTB50P03 MOSFET - 单
晶体管 MTB50P03 MOSFET - 单属性
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晶体管 MTB50P03 MOSFET - 单描述
MTB50P03介绍:
描述 MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 50A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) D2PAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 5V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4900pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
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