晶体管 FDD8445 MOSFET - 单

晶体管 FDD8445 MOSFET - 单属性

---

晶体管 FDD8445 MOSFET - 单描述

FDD8445介绍：
描述 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 5 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 70A（Tc） 79W（Tc） TO-252AA
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 59nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4050pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 79W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.7 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel）、安捷伦;

安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！
所出的物料，绝对原装正品！放心购买！
本公司为一般纳税人，可开16%增值税票！欢迎垂询！
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201


从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。

---

晶体管 FDD8445 MOSFET - 单相关产品