晶体管 STS1NK60Z 半导体产品
晶体管 STS1NK60Z 半导体产品属性
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晶体管 STS1NK60Z 半导体产品描述
STS1NK60Z介绍:
描述 MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 表面贴装 N 沟道 600V 250mA(Tc) 2W(Tc) 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 250mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.9nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 94pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 15 欧姆 @ 400mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动,这都是电子管所无法比拟的。另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密,但工序简便,有利于提高元器件的安装密度。
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