晶体管 IXFT80N08 MOSFET - 单

晶体管 IXFT80N08 MOSFET - 单属性

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晶体管 IXFT80N08 MOSFET - 单描述

IXFT80N08介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 180nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 40A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-268
封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

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