晶体管 IXFE73N30Q MOSFET
晶体管 IXFE73N30Q MOSFET属性
- 0
晶体管 IXFE73N30Q MOSFET描述
IXFE73N30Q介绍:
描述 MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
详细描述 底座安装 N 沟道 300V 66A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET™
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 66A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 400W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 46 毫欧 @ 36.5A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、
台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托罗拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美国美商半导体(AMD)、爱特梅尔(Atmel)、安捷伦;
安富利(深圳)商贸有限公司,全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势!
所出的物料,绝对原装正品!放心购买!
本公司为一般纳税人,可开16%增值税票!欢迎垂询!
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201
晶体管是一种半导体器件,放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑,手机,和所有其他现代电子电路的基本构建块。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域,可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。
晶体管 IXFE73N30Q MOSFET相关产品
联系方式
同类产品
- 二极管 DSEI20-12A 整流器
- 晶体管 SI2316DS MOSFET
- 二极管 SDMP0340LT-7-F 整流器
- 射频 AD9861BCPZ-50 前端
- 二极管 SMA6L15A TVS
- 解调器 LT5575EUF#PBF 射频
- 二极管 RGP02-16E 整流器
- 二极管 SMA5943 齐纳 - 单
- 晶体管 SD2932 射频
- 二极管 STPS2150 整流器
- 二极管 MBRD10100CT 整流器
- 电路保护 LT4363CDE-1#TRPBF 电涌抑制
- 变阻器 ERZVF2M680 TVS
- 晶体管 FCP104N60F MOSFET
- 二极管 MBRB10100-E3/8W 整流器
- 晶体 HTV192 振荡器
- 晶体管 NTGS4141NT1G FET
- 晶体管 BF771E6327HTSA1 射频
- 数字隔离器 ADUM2200ARWZ-RL
- 晶体管 NJT4030PT3G 双极 (BJT) - 单