晶体管 BSC100N03MSGATMA1 分立半导体产品

晶体管 BSC100N03MSGATMA1 分立半导体产品属性

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晶体管 BSC100N03MSGATMA1 分立半导体产品描述

BSC100N03MSGATMA1介绍；
描述 MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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