晶体管 SPU04N60C3BKMA1 分立半导体产品

晶体管 SPU04N60C3BKMA1 分立半导体产品属性

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晶体管 SPU04N60C3BKMA1 分立半导体产品描述

SPU04N60C3BKMA1介绍；
描述 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包装 ? 管件 ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 490pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 950 毫欧 @ 2.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO251-3
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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