2N7002KT1G

2N7002KT1G属性

---

2N7002KT1G描述

2N7002KT1G标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET®

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） .6nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 30pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

ON进口原装正品优势现货供应
0755-82787607 13430693665
QQ3280678067

---

2N7002KT1G相关产品