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2N7002KT1G

2N7002KT1G产品图片
  • 发布时间:2018-9-4 11:15:02
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市沃博电子有限公司
  • 联 系 人:李
  • 2N7002KT1G供应商

2N7002KT1G属性

  • SOT23
  • ON

2N7002KT1G描述

2N7002KT1G标准包装3,000
包装标准卷带
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管-FET,MOSFET-单
系列TrenchFET®

规格
FET类型N沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)300mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.5V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值).6nC@4.5V
Vgs(最大值)±20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)30pF@25V
FET功能-
功率耗散(最大值)350mW(Ta)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值)2欧姆@500mA,10V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-236
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

ON进口原装正品优势现货供应
0755-8278760713430693665
QQ3280678067


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2080射频放大器41521安装风格封装箱体8类型技术工作频率04151压缩点182增益21工作电源
联系方式
  • 联系人:李
  • 地 址:深圳市振华路华匀大厦517室
  • 邮 编:518000
  • 电 话:0755-82787607
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