MOSFET-单 TPH1R204PL,L1Q 晶体管-FET
MOSFET-单 TPH1R204PL,L1Q 晶体管-FET属性
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MOSFET-单 TPH1R204PL,L1Q 晶体管-FET描述
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSIX-H
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 150A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 500μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 74nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 960mW(Ta), 132W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.24 毫欧 @ 50A,10V
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳 8-PowerVDFN
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