IXFH20N100P

IXFH20N100P属性

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IXFH20N100P描述

纯正原装现货 军事用途 MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 570 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 6.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 126 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: Polar, HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXFH20N100
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Polar Power MOSFET HiPerFET
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 8 S
下降时间: 45 ns
Pd-功率耗散: 660 W
上升时间: 37 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 56 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 6.500 g

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