OPA196IDBVR

OPA196IDBVR属性

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OPA196IDBVR描述

低偏移电压：±100μV（最大值）
低偏移电压漂移：±0.5μV/°C（典型值）
低偏置电流：±5pA（典型值）
高共模抑制：140dB
低噪声：1kHz 时为 15nV/√Hz
轨至轨输入和输出
可提供电源轨的差分输入电压范围
高带宽：2.5MHz GBW
低静态电流：每个放大器为 140μA（典型值）
宽电源范围：±2.25V 至 ±18V，4.5V 至 36V
已过滤电磁干扰 (EMI)/射频干扰 (RFI) 的输入
高电容负载驱动能力：1nF
行业标准封装：
SOIC-8、SOT-5 和 VSSOP-8 单体封装
SOIC-8 和 VSSOP-8 双列封装
SOIC-14、TSSOP-14 和 QFN-16 四列封装
质量和环境数据

型号 环保计划* 铅/焊球涂层 MSL 等级/回流焊峰 详细信息 DPPM / MTBF / FIT 率
符合 RoHS OPA196ID Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR 查看 查看
符合 RoHS OPA196IDBVR Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR 查看 查看
符合 RoHS OPA196IDBVT Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR 查看 查看
符合 RoHS OPA196IDGKR Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR 查看 查看
符合 RoHS OPA196IDGKT Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR 查看 查看
符合 RoHS OPA196IDR Green (RoHS & no Sb/Br) CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR 查看 查看
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