SIHF12N50C-E3 MOSFET SIHF12N50C-E3 MOSFET 全新原装现货

SIHF12N50C-E3 MOSFET SIHF12N50C-E3 MOSFET 全新原装现货属性

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SIHF12N50C-E3 MOSFET SIHF12N50C-E3 MOSFET 全新原装现货描述

制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 560 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 0.555 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 32 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.49 mm
长度: 10.41 mm
系列: E
宽度: 4.7 mm
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 6 ns
Pd-功率耗散: 36 W
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g


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