HGTP5N120BND 分立半导体产品

• 发布时间：2018/3/13 16:26:18
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HGTP5N120BND 分立半导体产品属性

HGTP5N120BND 分立半导体产品描述

数据列表 HGTG5N120BND, HGTP5N120BND;
TO220B03 Pkg Drawing;
标准包装 50
包装 管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列 -
IGBT 类型 NPT
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 21A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 40A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.7V @ 15V，5A
功率 - 最大值 167W
开关能量 450μJ（开），390μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 53nC
25°C 时 Td（开/关）值 22ns/160ns
测试条件 960V，5A，25 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 65ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
PCN 封装 Mult Devices 24/Oct/2017
Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
PCN 设计/规格 Logo 17/Aug/2017

图像和媒体
产品相片 TO-220-3

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