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HGTP5N120BND 分立半导体产品

HGTP5N120BND  分立半导体产品产品图片
  • 发布时间:2017-11-1 11:35:07
  • 所属类别:电力半导体器件 » 其它电力半导体器件
  • 公    司:深圳市嘉盛威科技有限公司
  • 联 系 人:陈小姐
  • HGTP5N120BND  分立半导体产品供应商

HGTP5N120BND 分立半导体产品属性

  • S/开关
  • TO-220
  • 仙童

HGTP5N120BND 分立半导体产品描述

数据列表HGTG5N120BND,HGTP5N120BND;
TO220B03PkgDrawing;
标准包装50
包装管件
类别分立半导体产品
产品族晶体管-UGBT,MOSFET-单
系列-
IGBT类型NPT
电压-集射极击穿(最大值)1200V
电流-集电极(Ic)(最大值)21A
脉冲电流-集电极(Icm)40A
不同Vge,Ic时的Vce(on)2.7V@15V,5A
功率-最大值167W
开关能量450µJ(开),390µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷53nC
25°C时Td(开/关)值22ns/160ns
测试条件960V,5A,25欧姆,15V
反向恢复时间(trr)65ns
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
PCN封装MultDevices24/Oct/2017
TapeandBox/ReelBarcodeUpdate07/Aug/2014
PCN设计/规格Logo17/Aug/2017

图像和媒体
产品相片TO-220-3


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联系方式
  • 联系人:陈小姐
  • 地 址:深圳市福田区振华路海外装饰大厦1606
  • 邮 编:518000
  • 电 话:0755-82576579
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