光电耦合器

光电耦合器属性

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光电耦合器描述

光电耦合器
图片 型号 名称 描述
H11L3 光电耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 5mA
H11L2 光电耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 10mA
H11L1 光电耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 1.6mA
EL3083 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3082 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3081 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3063 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3062 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3061 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3053 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3052 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3051 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3043 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3042 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3041 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3033 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3032 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3031 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3023 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:5mA
EL3022 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3021 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3012 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:5mA
EL3011 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3010 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3H7-G 光电耦合器 CTR：50~600﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:5/3 μs

图片 型号 名称 描述
EL3H4-G 光电耦合器 CTR：20~300﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
EL111X-G 光电耦合器 CTR：50~600min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:2/3 μs
EL101X-G 光电耦合器 CTR：50~600min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:2/3 μs
ELD217 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD213 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD211 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD207 光电耦合器 CTR：100~200﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD206 光电耦合器 CTR：63~125﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD205 光电耦合器 CTR：140~80﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL217 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL216 光电耦合器 CTR：50min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL215 光电耦合器 CTR：10min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL213 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL212 光电耦合器 CTR：50min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL211 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL208 光电耦合器 CTR：160~320﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL207 光电耦合器 CTR：100~200﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL206 光电耦合器 CTR：63~125﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL205 光电耦合器 CTR：40~80﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL357-G 光电耦合器 CTR：50~600﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/4 μs
EL354 光电耦合器 CTR：20~300﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
EL827 光电耦合器 CTR：50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
TIL111 光电耦合器 CTR：50min­­­­­­，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
TIL111 光电耦合器 CTR：- ­­­­­­，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
MCT2E 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
图片 型号 名称 描述
MCT2 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A5 光电耦合器 CTR：30min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A4 光电耦合器 CTR：10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A3 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A2 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A1 光电耦合器 CTR：50min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
CNY17F-4 光电耦合器 CTR：160~320﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-3 光电耦合器 CTR：100~200﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-2 光电耦合器 CTR:63~125﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-1 光电耦合器 CTR:40~80﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-4 光电耦合器 CTR:160~320﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-3 光电耦合器 CTR:100~200﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-2 光电耦合器 CTR:63~125﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-1 光电耦合器 CTR:40~80﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
4N38 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N37 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N36 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N35 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N28 光电耦合器 CTR:10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N27 光电耦合器 CTR:10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N26 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N25 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
EL817-G 光电耦合器 CTR:50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
EL817 光电耦合器 CTR:50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：35V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
EL816 光电耦合器 CTR:50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:4.0/3.0 μs
图片 型号 名称 描述
H11AA4 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA3 光电耦合器 CTR:50min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA2 光电耦合器 CTR:10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA1 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
EL814 光电耦合器 CTR:20~300﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:7.0/11.0μs
EL825 光电耦合器 CTR:600~7500﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：40V（最小），Rise/Fall Time:60/53 μs
TIL113 光电耦合器 CTR:300min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5/100 μs
H11B3 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B255 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B2 光电耦合器 CTR:200min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B1 光电耦合器 CTR:500min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
4N33 光电耦合器 CTR:500min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/100.0 μs
4N32 光电耦合器 CTR:500min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/100.0 μs
4N31 光电耦合器 CTR:50min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
4N30 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
4N29 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
EL815 光电耦合器 CTR:600~7500﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：35V（最小），Rise/Fall Time:60.0/53.0 μs

　


　


Judson 光电探测器
　
　


美国EOS光电探测器
　
　


波兰VIGO中/长波光电探测器

　
　


NIT探测器
　
　


美国Voxtel近红外雪崩探测器
　
　


CLPT近红外探测器

　
　


德国IFW紫外探测器

Judson 光电探测器
　
　
　

　



Judson公司成立于1969年，总部位于美国费城，是高性能红外探测器及其附件产品的领导设计者和制造商。因质量与改革而闻名世界，Judson公司生产的高性能红外探测器可广泛应用在通信、医学、工业、科研、军事、航空等领域。Judson公司专攻HgCdTe、Ge、InSb、PbS、PbSe、InAs、InGaAs以及热电探测器材料，其技术和产品横垮整个红外光谱范围。这些产品从To封装的单一成分光电探测器到复杂结构包括探测器陈列、真空瓶、冷却器、读取电路，可工作在广泛的温度范围内。

型号一：Ge探测器（工作波段0.8-1.8微米）



1、简介：

Ge探测器是高性能的锗光电二极管，为800－1800nm波长范围而设计。热电制冷探测器应用在对截止频率处响应的温度稳定性要求严格的场合。

2、功能及用途：

★ 光学仪表

★ 光纤测量

★ 激光二极管控制

★ 光学通信

★ 温度传感器

3、技术指标

l 响应率：

当光子具有足量被吸附在活跃区域内，锗光电二极管产生电流穿过PN结。响应率是波长和探测温度的函数。在一定波长范围内，温度变化对响应率影响很小，但在更宽波长范围内，影响却很大。

型号二：InGaAs探测器



1、简介：

J22和J23系列InGaAs探测器工作于0.8µm 到 2.6µm的光谱范围内。这些探测器为宽范围内的应用提供快速的上升时间，一致的响应，极好的灵敏度和长期可靠性。为提高截止波长附近性能或响应的温度稳定性, Judson 提供多种热电制冷探测器可供选择。Judson标准InGaAs探测器J22系列,提供从0.8μm到1.7μ m光谱范围内的高性能和可靠性。除此之外，J23系列扩展InGaAs探测器在以下四个截止波长处可用：1.9μm，2.2μm，2.4μm和2.6μm 。

2、功能及用途：

★ IR 萤光

★ 血液分析

★ 光学分类

★ 辐射线测定

★ 化学探测

★ 光学通信

★ 光学目标跟踪

★ 激光二极管控制

★ 激光烙印

★ 气体分析

★ NIR-FTIR

★ 拉曼光谱学

3、技术指标



型号三：InAs探测器



1、简介：

J12系列探测器是高质量的InAs探测器，在1到3.8μ m 波长范围内使用。InAs的优势在于其不像光电半导体材料普遍用在 1-3.8 μ m 波长区域中,InAs工作在光电模式下却不需要偏置电流。这使直流和低频应用中，InAs 成为较好的选择, 因为它不象半导体 PbS，PbSe 和 HgCdTe具有低频或 "1/ f" 噪音特性. InAs在跟踪和探测高速激光脉冲信号时也有很高的脉冲响应。

2、功能及用途：

★ 激光预警接收器

★ 程序控制监控器

★ 温度传感器

★ 脉冲激光监控器

★ 红外光谱学

★ 功率仪器

3、技术指标

l 响应率

Rs对InAs探测器响应的影响如下面例子所示。22°C时， Rs 和 Rd 可能大小相同(~10个欧姆)。虽然在探测器的光敏面积上，产生光子几率一致，但是在区域的中心的附近有些光子被Rd阻止，从而不能到达中心。对探测器光敏面积中心的响应率产生影响。这种效应对具有高阻抗、比较小的光敏面探测器的影响不明显。若给二极管制冷会减少或消除这种效应，但同时会增加探测器阻抗。

l 温度影响:

对InAs光电二极管制冷会减少噪音并提高探测率。制冷也会增加 Rd, 让更多光电流 Iph 到达光敏面中心。结果是二极管响应增加。为适合高功率应用比如激光脉冲探测, 通常制冷不是必需的。为适合感光, 低功率应用，InAs探测器就需要制冷或至少温度稳定性好。温度稳定在 22°C 室温附近不能改善性能, 但是可以防止周围温度漂流对探测器的影响。

型号四：PbS探测器

1、简介：

J13系列探测器是PbS光电导探测器，为 1-3.5μm 波长区域的应用而设计。波长达最高值处的响应依赖工作温度。这些探测器提供简单而紧凑的封装却得到最高的性能。

他们提供平台单元, TO封装和热电制冷器。热电制冷器为获得高灵敏度，更长的工作波长和温度稳定性而提供很低的工作温度。

2、功能及用途：

★ NDIR光谱学

★ 光学测温

★ 光谱学

★ 湿气分析

3、技术指标



型号五：PbSe探测器



1、简介：

J14系列探测器是PbSe光电导探测器，为 2-6μm 波长区域的应用而设计。峰值波长处的响应依赖工作温度并且在4-4.7μm 范围内具有不同值。

2、功能及用途：

★ 环境气体分析

★ 医学气体分析

★ 光谱学

★ 光学测温

★ NDIR光谱学

★ 防御应用

3、技术指标

他们提供平台单元, TO封装而且两者并无热电制冷器。热电制冷器为获得高灵敏度，更长的工作波长和温度稳定性而提供很低的工作温度。用户订制的探测器提供内置电子过滤器。多波长探测器和阵列通常提供产品原型。按照标准规格，Judson室温PbSe提供高于其他制造商2-3倍的归一化探测率。

型号六：InSb探测器



1、简介：

J10D系列探测器是高质量InSb光电二极管,在1到5.5μm波长区域中有很好的性能。

2、功能及用途：

★ 热成象

★ 搜寻热目标

★ 辐射计

★ 光谱鉴定

★ FTIR

3、技术指标

单一晶体p-n结技术产生高速,低点噪声并有很好的一致性，线性和稳定性的探测器。

所有的J10D系列InSb探测器都要求工作温度是77°K。

型号七： PC光导HgCdTe探测器



1、简介：

HgCdTe是三种半导体材料混合按一定比例形成的合金混合物可显示截止波长。真实的探测器由一个薄层（10到20μm) 的HgCdTe在金属衬底上硬化来定义光敏面积。 光子能量高于半导体能带隙能量激发电子进入传导层，因此，增加了材料的传导率。峰值波长处的响应依靠材料能带隙能量并很容易被合金化合物改变。为了要感知电导率的变化,需要偏置电流或电压。典型地，探测器被作成正方形或矩形来维持光敏区域内分配一致的偏置电流。

2、功能及用途：

★ 热成象

★ CO2激光探测

★ 制导

★ FTIR光谱学

★ 夜视

3、技术指标

每种J15系列HgCdTe明确设计特别的操作温度范围。响应率和探测率会随着温度降低而增加。HgCdTe PC 探测器有很宽的动态范围。

J15D系列探测器是HgCdTe光电导探测器，工作在2到26个μ m 波长区域中。 峰值波长响应依靠所采用的特殊合金化合物。所有J15D系列探测器工作于 77°K的低温条件下. Judson 的上好技术细致的设备选择，可以提供背景限制（BLIP)探测器有极好的性能。

型号八： PV光伏HgCdTe探测器



1、简介：

J19TE系列探测器是高质量的HgCdTe光电二极管，用于500 nm 到5.0um 范围内。等效电路由光子产生的电流Iph 并联电容CD，阻抗RD和连续阻抗RS组成。

2、功能及用途：

★ 测温

★ 光谱分析

★ 信号探测

3、技术指标

l 温度效应:

对HgCdTe光电二极管制冷可减少噪音并改善探测率。制冷也可增加阻抗并提高更长波长范围内的响应。

l 光电伏HgCdTe的优势:

不象光电导可普遍用在500nm到5.5um范围中 ,HgCdTe光电二极管工作于光电伏模式并不要求偏置电流。这使J19TE探测器成为直流和低频应用的很好选择，它不象PbS, PbSe和HgCdTe光电导体有低频或“1/F”噪声特性。J19TE探测器也为追踪和探测高速脉冲激光信号提供很好的脉冲响应。

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