半导体激光二极管和激光器组件

半导体激光二极管和激光器组件属性

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半导体激光二极管和激光器组件描述

带尾纤器件 　
　 　
　
InGaAs（铟镓砷）光电探测器（1000-2600nm） 　
　 　
　
Ge（锗）光电探测器（800-1800nm）
　
　 　
　
InAs（砷化铟）光电探测器（1000-3400nm） 　
　 　
　
PbS（硫化铅）光电探测器（1000-2800nm） 　
　 　
　
MCT(碲镉汞)光电探测器（1000-4500nm）
　
　
MCT(碲镉汞)光电探测器（2-20+nm） 　
　 　
　
InSb（锑化铟)光电探测器（1000-5500nm） 　
　 　
　
荧光检测模块
带尾纤器件

激光二极管
　



　
激光模组
　









　
双向器件
　
型号 峰值波长(nm) 功率(mw) 阈值电流(mA) 工作电压(V) 光谱宽度(nm) 上升时间(ns)
PB1315 1310 1.5 5 1.1 1 0.3
PW1.25GBs 1310 1.5 5 1.1 1 0.3
PW1 1310 1.5 5 1.1 1 0.3
PW13ST 1310 35 50 1.2 - -
PW85ST 850 35 50 1.8 35 4.5
PWFSAN155 1310 1.5 5 1.1 1 ?


　
带尾纤边缘发光型LED
型号 中心波长(nm) 光谱宽度(nm) 光纤耦合功率(mW) 封装类型(-)
SugarCubes 1270 　 45 　
PE13W0051FCA-0-0-01 1300 60 8 Pigtailed FC/PC Connector
PE13W010ST71-Q-0 1300 60 15 Receptacle ST Style
PE13W015FC11-Q-0 1300 60 20 Receptacle ST Style
PE13W010FC21-Q-0 1300 60 15 Receptacle ST Style
PE13W0151STA-0-0-01 1300 60 20 Pigtailed FC/PC Connector


　
带尾纤激光二极管
型号 波长(nm) 最小光纤耦合功率(mw) 阈值电流(mA) 工作电流(mA) 监测光电管电流(mA)
PL63C005100A -0-0-01 635 1 50 70 0.5
PL63H003300A -0-0-01 635 3 45 55 0.2
PL65T0.8UN11-T-0 650 0.8 30 35 0.07
PL65Q0.8UN11-T-0 650 0.8 40 50 0.10
PL65T001100A-0-0-01 650 1 30 35 0.07
PL65R005FC14-T-0 655 5 25 35 0.1
PL66N0026FCA -0-0-01 658 2 45 85 0.05
PL67T0016STA-0-0-01 670 1 45 70 0.5
PL66N005100A -0-0-01 658 5 45 85 0.05
PL13H1201OOA-0-P-01 1310 　 20 30 　
PL15H1001OOA-0-P-01 1550 　 30 50 　
PL78C0.51FCB-T-0-01 785 0.5 35 45 0.1
PL78H0037FCD-U-0-01 785 3 45 140 0.025
PL78M001FC11-T-0 780 1 25 40 0.45
PL78R0012STA-0-0-01 785 1 25 45 0.3
PL78T040FC2D-T-0 785 40 30 100 0.1
PL85B0023FCA-0-0-01 850 2 5 30 0.2
PL83H0103FCA-0-0-01 830 10 40 80 0.04
PL98A0038FAA-0-0-01 980 3 5 80 0.4
PL13U001100B -R-0-01 1310 1 6 18 0.1

　

型号 波长(nm) 最小光纤耦合功率(mw) 阈值电流(mA) 工作电流(mA) 监测光电管电流(mA)
PL13U0.5FC11-S-0 1310 0.5 6 18 0.8
PL13N0021FAA-0-0-01 1310 2 10 20 0.8
PL15M0011SCA-0-0-01 1550 1 10 30 0.8
PL15M0.51SCC-R-0-01 1550 0.5 15 30 0.8
PL15N001FCG-R-0-01 1550 1 10 20 0.8
PL15N002FC0-0-0-01 1550 2 10 20 0.8
PL16M001100A-0-0-01 1615 1 15 30 0.1
PL16M001FC11-S-0 1615 1 15 30 0.8
PL16M002200A-0-0-01 1615 2 15 30 0.8
PL16M001SC21-S-01 1615 1 15 30 0.8
PL16M0.51FAA-0-0-01 1615 0.5 15 30 0.8
PL16M0.5FC21-S-0 1615 0.5 15 30 0.8
PL16M0.5FC11-S-0 1615 0.5 15 30 0.8
PL15M0.51FAC-R-0-01 1550 1 10 30 0.8
PL15M0011SAA-0-0-01 1310 1 6 18 0.8
PL13U0011SAA-0-0-01 1310 0.5 6 18 0.8
PL13U0.51FAA-0-0-01 1310 0.5 6 18 0.8


　
带尾纤边缘发光型LED
型号 波长(nm) 工作电流(mA) 光纤类型(-) 光纤耦合功率(mW) 管脚输出(-) 光谱宽度(nm) 上升时间(ns)
PSLEDSeries 　 　 　 　 　 　 　
PS85K015SC22-Q-0 850 100 50/125 20 D 35 6.0
PS13T030FC12-Q-0 1310 100 50/125 35 D 160 3.0
PS13L015SC22-Q-0 1310 100 50/125 20 D 160 3.0
PS13L030300A-0-0-01 1310 100 62.5/125 35 D 160 3.0
PS86M025FC12-Z-0 860 60 50/125 45 A 50 7.0
PS85K035300A-0-0-01 850 100 62.5/125 40 D 35 6.0


　
带尾纤VCSEL
型号 波长(nm) 工作电流(mA) 光纤类型(-) 光纤耦合功率(mW) 管脚输出(-) 光谱宽度(nm) 上升时间(ns)
PV85A0.53FCA-0-0-01* 850 3.5 62.5/125 600 4 lead 0.85 100 psec
PV85L0.5FC12-Z-0* 850 3.5 50/125 600 3 lead 0.85 100 psec
PV85L0.62STD-Z-0-01 850 3.5 50/125/900 600 3 lead 0.85 100 psec
PV85L0.9ST74-Z-0 850 3.5 62.5/125 1000 3 lead 0.85 100 psec
PV85W0.53STA-0-0-01* 850 3.5 62.5/125 600 3 lead 0.85 100 ps

　



InGaAs（铟镓砷）光电探测器（1000-2600nm）

一、铟镓砷PIN管

型号 光敏面积(mm dia) 波长范围(nm)
IGA - 001 0.1 1000-1700
IGA - 003 0.1 1000-1700
IGA - 003 1 1000-1700
IGA - 003 2 1000-1700
IGA - 003 3 1000-1700
IGA - 003 5 1000-1700
IGA - 003 1 1000-1700
IGA - 003 2 1000-1700
IGA - 003 3 1000-1700
IGA - 003 5 1000-1700
IGA - 003 0.3 1000-1700
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 3 1200-2600

二. 大感光面积铟镓砷探测器 产品特点：
光谱响应范围： 900nm-1700nm
感光面积： 直径1mm、1.5mm、3mm可选
灵敏度高
暗噪声低响应速度快
TO-5或TO-18封装
　
　 　
型号 受光面直径 响应灵敏度
1310nm 响应灵敏度
1550nm 分流电阻 结电容 封装
InGaAS-1000 1 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 30 MΩ
Vr = 10mV 80 pF Vr=0V TO-18
InGaAS-1500-X 1.5 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 20 MΩ
Vr = 10mV 200 pF Vr=0V TO-18
InGaAS-3000-X 3 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 20 MΩ
Vr = 10mV 750 pF Vr=0V TO-5

额定参数

　型号 存储温度范围 工作温度范围 焊接温度 封装形式
InGaAS-1000 -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-18
InGaAS-1500-X -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-18
InGaAS-3000-X -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-5

三. 高速铟镓砷光电二极管

　产品特点：

响应速度快，最高可到9G Hz
暗电流低存
带低噪声前置放大器，差分输出
标准TO系列封装
　
动态范围宽
型号 受光面直径 间距 响应灵敏度 1310nm 响应灵敏度 1550nm 暗电流 结电容 反偏电流 正向电流 带宽 崩溃电压
InGaAs-300B1 300 μm --- 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA
Vr=-5V 8 pF
Vr=-5V 5 mA max 25 mA max 100 MHz 10V at 1μm
InGaAs-300B1x4 300 μm 500 μm 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA
Vr=-5V 8 pF Vr=-5V 5 mA max 25 mA max 100 MHz 10V at 1μm
InGaAs-300B1x8 300 μm 500 μm 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA
Vr=-5V 8 pF Vr=-5V 5 mA max 25 mA max 100 MHz 　

四. 陶瓷封装型光通信光电二极管 产品特点：
带低噪声前置放大器，差分输出
带宽高，动态范围宽
暗电流低
+3.3V单电源供电
陶瓷封装


　



Ge（锗）光电探测器（800-1800nm）

一、常温条件下锗光电探测器 型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

G - 010
1
800-1800

G - 020
2
800-1800

G - 030
3
800-1800

G - 050
5
800-1800

G - 100
10
800-1800

G - 130
13
800-1800


二、制冷型锗光电探测器

型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

G-010-TE2
1
800-1800

G-020-TE2
2
800-1800

G-030-TE2
3
800-1800

G-050-TE2
5
800-1800

G-100-TE2
10
800-1800

G-130-TE2
13
800-1800


InAs（砷化铟）光电探测器（1000-3400nm）

一、常温条件下砷化铟光电探测器型号
尺寸（mm）
波长范围(nm)

IA - 010
1
1000-3400

IA - 020
2
1000-3400


二、制冷型砷化铟光电探测器

型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

IA-010-TE2/TO8
1
1000-3400

IA-020-TE2/TO8
2
1000-3400


　
PbS（硫化铅）光电探测器（1000-2800nm）

一、常温条件下硫化铅光电探测器 型号
尺寸（mm）
波长范围(nm)

PBS - 010
1
1000-2800

PBS - 020
2
1000-2800

PBS - 030
3
1000-2800

PBS - 050
5
1000-2800

PBS - 060
6
1000-2800

PBS - 100
10
1000-2800


二、制冷型硫化铅光电探测器

型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

PBS - 010 - TE1
1
1000-2800

PBS - 010 –TE2
1
1000-2800

PBS - 020 - TE1
2
1000-2800

PBS - 020 –TE2
2
1000-2800

PBS - 030 - TE1
3
1000-2800

PBS - 030 –TE2
3
1000-2800

PBS - 050 - TE1
5
1000-2800

PBS - 050 –TE2
5
1000-2800

PBS - 060 - TE1
6
1000-2800

PBS - 060 –TE2
6
1000-2800


MCT(碲镉汞)光电探测器（1000-4500nm）

一、常温条件下MCT光电探测器型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

MCT - 4.5-010
1
1000-4500nm

MCT - 5.0-010
1
1000-4500nm


二、制冷型MCT光电探测器

型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

MCT - 4.5-010-TE2
1
1000-4500

MCT - 5.0-010-TE2
1
1000-4500


MCT(碲镉汞)光电探测器（2-20+nm）

碲镉汞光电探测器

型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

MCT10-0025
0.25
2-12+

MCT10-005
0.5
2-12+

MCT10-010
1
2-12+

MCT10-020
2
2-12+

MCT14-0025
0.25
2-15+

MCT14-005
0.5
2-15+

MCT14-010
1
2-15+

MCT14-020
2
2-15+

MCT20-005
0.5
2-20+

MCT20-010
1
2-20+


InSb（锑化铟)光电探测器（1000-5500nm）

锑化铟光电探测器型号
尺寸(mm)
波长范围(nm)

IS-0025
1
1000-5500

IS-010
1
1000-5500

IS-020
1
1000-5500

IS-030
1
1000-5500

IS-040
1
1000-5500

IS-050
1
1000-5500

IS-070
1
1000-5500

IS-100
1
1000-5500


荧光检测模块

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