PSMN4R6-60PS

PSMN4R6-60PS属性

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PSMN4R6-60PS描述

产品种类: MOSFET
制造商: Nexperia
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.8 V
Qg-栅极电荷: 70.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 22 ns
高度: 9.4 mm
长度: 10.3 mm
Pd-功率耗散: 211 W
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: N-Channel 60 V 4.6 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
宽度: 4.7 mm

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