IRFP4668PBF
IRFP4668PBF属性
- MOSFE
- TO-247-3
- Infineon
IRFP4668PBF描述
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 130 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 161 nC
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 74 ns
正向跨导 - 最小值: 150 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 520 W
上升时间: 105 ns
工厂包装数量: 25
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 38