DSi2000 手动无接触式硅片厚度电阻率测量仪

• 发布时间：2014/4/28 13:40:59
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DSi2000 手动无接触式硅片厚度电阻率测量仪属性

DSi2000 手动无接触式硅片厚度电阻率测量仪描述

DSi2000 手动无接触式硅片厚度电阻率测量仪，是一款高精度精密测量仪器。集厚度，电阻率，型号(P/N型可选配)等测量模块于一体。测量原理分别为电容法，涡流法，表面光电压法(SPV)等。可测量参数有:单点或多点厚度,单点或多点的电阻率，五点TTV值或多点的TTV值，五点或多点的电阻率偏差值，PN型测量。
规格及技术参数
硅片要求 规格： 方片125×125mm 、156×156mm
圆片 3"、4"、5"、6"、8"

测量功能 厚度： 单点及多点厚度

TTV: 总厚度偏差

体电阻率： 单点及多点电阻率

TRV: 总体电阻率偏差

测量指标 厚度 范围： 150-1000μm
测量误差: ≤±1.0μm
重复性1σ: ≤0.2μm

TTV 范围： 0.0-200.0μm
测量误差： ≤±0.50μm
重复性1σ: ≤0.2μm

电阻率 范围： 0.1-30Ω.cm
测量误差： ≤±3.0%*R
重复性1σ: ≤1.5%*R

设备尺寸 360mm(L)×350mm(W)×500mm(H) （以实物为准）

测量环境要求 温度范围： 18-28℃
湿度范围： 35-85%

电源要求 220VAC/50HZ

控制器 高性能主机

操作系统 Microsoft Win7

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