PHT6NQ10T,135

PHT6NQ10T,135详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
系列:TrenchMOS™
制造商:NXP Semiconductors
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:100V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 3A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:4V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:21nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:633pF @ 25V
功率_最大:8.3W
安装类型:表面贴装
封装__外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SC-73
包装:Digi-Reel®
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查看更多PHT6NQ10T,135的供应商         发布时间:2024/5/25 16:32:00
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