日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术，可实现 10μs 短路功能的额外优势。

　　其中ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块，这些超快速器件可在硬开关中实现 8khz～60khz 的高工作频率，在共振模式下可实现 200khz 以上的工作频率。

　　vishay 此次推出的全新 igbt 系列具有 75a～200a 的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、ups、smps、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 tig 焊机应用中，这些 igbt在额定电流时提供了当前市场上“s”系列模块中最低的 vce(on) 。

　　上述全新 igbt 系列器件均采用无铅 (pb)化工艺，可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 emi，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。

　　器件规格表：