SI4936ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4936ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:36 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4936BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4936BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4936BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6.9A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 15V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4936BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 5.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:530pF @ 15V
- 功率_最大:2.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 1/16W 22.1K OHM 0.1% 0603
- 蜂鸣器 Mallory Sonalert Products Inc 18-SMD 模块 AUD SIG DEVICE 1-5VDC PNL MNT
- 过时/停产零件编号 Logic KIT DEV ZOOM STARTER FOR SH7760
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 1.18K OHM 1/8W 0.25% 1206
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 120 OHM 1/4W .1% AXIAL
- TVS - 变阻器,MOV TE Connectivity 圆盘 14mm VARISTOR 360V 14MM STRAIGHT LEAD
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 57.6K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 1/16W 22.1K OHM 0.1% 0603
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 220UH 0.90A 100KHZ
- TVS - 变阻器,MOV TE Connectivity 圆盘 14mm VARISTOR 100V 14MM RADIAL T/R
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 167K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 11.3K OHM 1/8W 0.25% 1206
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 57.6 OHM 1/2W 1% AXIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 1/16W 249K OHM 0.1% 0603